2차원 반도체
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결정핵 위치 제어한 2차원 반도체 성장 기술
국내 공동연구팀이 결정핵 위치를 중앙으로 유도해 99% 이상 단결정을 형성하는 기술을 개발했다.
산소 도핑 WSe₂ p형 트랜지스터 개발
공동연구진이 산소 도핑으로 단층 WSe₂의 접촉저항을 낮춘 탄도 수송 p형 트랜지스터를 개발했다.
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국내 공동연구팀이 결정핵 위치를 중앙으로 유도해 99% 이상 단결정을 형성하는 기술을 개발했다.
공동연구진이 산소 도핑으로 단층 WSe₂의 접촉저항을 낮춘 탄도 수송 p형 트랜지스터를 개발했다.