칼자이스·ASML, Hyper-NA EUV 구조 제시
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양사 연구진이 NA 0.75 이상 EUV 시스템의 광학 구조와 해상도 잠재력, 기술 과제를 분석했다.
칼자이스 SMT(Carl Zeiss SMT)와 ASML 연구진이 현행 0.55 개구수(NA) High-NA 극자외선(EUV) 노광장비 이후를 겨냥해 NA 0.75 이상의 ‘Hyper-NA’ 시스템 구조를 제시했다. 두 회사 연구진은 2026년 10월 발간된 기술 논문에서 Hyper-NA를 EUV 미세화의 다음 확장 경로로 검토했다.1
논문 제목은 ‘Hyper-NA: a system with a numerical aperture of at least 0.75’다. 연구진은 0.75 이상으로 NA를 높였을 때 필요한 광학 구조와 해상도 잠재력을 분석하고, 레티클의 3차원 효과와 편광 문제도 함께 다뤘다. 현행 High-NA 시스템의 NA가 0.55인 만큼, 제안한 구조는 개구수를 최소 0.20 높이는 구상이다.
다만 이번 연구는 Hyper-NA의 양산 도입 발표가 아니라 기술적 가능성과 과제를 살핀 논문이다. 연구진은 기존 EUV 생태계를 Hyper-NA까지 확장하려면 어떤 요건이 필요한지도 검토했지만, Semiconductor Engineering이 전한 논문 요약에는 장비 개발 일정이나 고객사 검증, 양산 시점이 제시되지 않았다. 따라서 해상도 잠재력과 실제 제조 현장 적용 가능성은 구분해서 봐야 한다.
Footnotes
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Semiconductor Engineering, ‘Hyper-NA EUV: The Next Extension Beyond High NA Lithography (Carl Zeiss, ASML)’ ↩
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출처
- Hyper-NA EUV: The Next Extension Beyond High NA Lithography (Carl Zeiss, ASML) — Semiconductor Engineering · 자료: 2026. 10. 8.
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